类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
　　栅极电压范围：±30V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247AC
　　功率耗散（PD）：300W

IXGN20N90AA MOSFET具有多项关键特性，适用于高要求的功率转换应用。
　　首先，该器件的最大漏源电压（VDS）为900V，能够承受高电压应力，适用于高压电源和逆变器系统。其最大漏极电流（ID）为20A，支持中高功率级别的负载能力。
　　其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）最大为0.35Ω，确保在导通状态下的功率损耗较低，从而提高整体系统效率。此外，该器件的栅极电压范围为±30V，具备较强的抗过压能力，有助于防止因驱动电压波动而引起的栅极击穿问题。
　　IXGN20N90AA的工作温度范围为-55°C至+175°C，表现出良好的温度稳定性和热可靠性，适用于恶劣环境条件下的应用。该器件采用TO-247AC封装，散热性能良好，便于安装在散热器上，确保在高功率工作状态下的热管理能力。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的响应速度和能效。这种特性对于高频开关应用如DC-DC转换器、电机控制和不间断电源（UPS）尤为重要。
　　综合来看，IXGN20N90AA是一款具备高电压、中高电流能力和低导通电阻的功率MOSFET，适合用于各种高压、高效率的功率电子系统。

IXGN20N90AA广泛应用于多个高功率电子系统领域。首先，在工业电源系统中，该MOSFET常用于高压直流电源、开关电源（SMPS）和电池管理系统，其高电压承受能力和低导通电阻有助于提升电源转换效率。
　　其次，在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，IXGN20N90AA可用于高压DC-AC转换电路，确保高效能的能量转换与传输。
　　此外，在电动汽车充电设备和储能系统中，该器件适用于高压充电控制电路和能量回馈系统，其优异的开关特性和温度稳定性可确保系统在高负载条件下稳定运行。
　　在电机控制领域，IXGN20N90AA可用于高性能电机驱动器和变频器，支持高效、高精度的电机调速与控制。
　　最后，在不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET可用于逆变器和整流器模块，提供可靠的高压开关能力，确保在市电中断时的快速切换和稳定输出。

IXGN20N90C2, IXFN20N90, STF20N90DM2, IRGP50B60PD1