类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：28A
　　最大漏源电压（VDS）：55V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6、TO-220、D2PAK等

PFE28N05G具备多项优异特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET支持高电流承载能力，最大连续漏极电流可达28A，适用于大功率应用场景。此外，PFE28N05G具有良好的热稳定性，采用优化的封装技术，使得器件在高功率工作时仍能保持较低的温升，提升了整体可靠性。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，从而降低开关损耗，提高开关频率。同时，PFE28N05G的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，支持与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。其内部结构优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少高频噪声的产生。
　　另外，PFE28N05G具备较高的短路耐受能力，在短时间内可承受较大的过载电流而不损坏，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。器件的封装设计也考虑了散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。

PFE28N05G广泛应用于多种电力电子系统中，例如直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化设备等。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等。由于其具备高效率、低导通损耗和良好的热性能，特别适合用于高密度电源设计和紧凑型电子产品中。此外，在电信设备、服务器电源、LED照明驱动器以及便携式电源设备中也常见其身影。

IRF1405, FDP28N05, STP28NF50, NTD28N05CL