PFA70R590G 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的功率模块,基于碳化硅(SiC)技术,属于第三代半导体器件。该模块主要用于高效率、高频率的功率转换系统中,例如电动汽车充电器、太阳能逆变器、工业电源以及电能质量调节设备等。PFA70R590G 采用了SiC MOSFET技术,具备低导通损耗和开关损耗的特点,从而提升了整体系统的能效和热性能。
类型:SiC MOSFET功率模块
额定电压:650V
额定电流:70A
导通电阻:典型值约59mΩ
封装形式:PFA(Power Flatpack Advanced)
最大工作温度:175°C
短路耐受能力:有
封装材料:双列直插式陶瓷封装
引脚数量:7
安装方式:PCB表面贴装
最大耗散功率:约300W
PFA70R590G 具备多项先进的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该模块采用了碳化硅(SiC)材料,具有更高的带隙能量和热导率,使得器件能够在更高的温度下稳定工作,并且减少了导通和开关损耗。其次,PFA封装设计提供了优异的热管理性能,降低了热阻,使得模块能够更有效地散热,从而提高系统可靠性。此外,该模块具有较高的短路耐受能力,能够在异常工况下提供更长的安全运行时间,避免器件损坏。PFA70R590G 还具备较低的寄生电感,有助于减少开关过程中的电压过冲和电磁干扰(EMI),提高系统的稳定性和效率。最后,该模块支持高频率工作,有助于减小外部滤波元件的体积和重量,提升整体系统功率密度。
从电气特性来看,PFA70R590G 的导通电阻仅为59mΩ,显著降低了导通损耗,适用于需要高效能转换的应用场景。其额定电流为70A,额定电压为650V,适用于多种中高功率应用场景。模块内部集成两个SiC MOSFET器件,支持半桥拓扑结构,便于设计人员进行电路布局。同时,该模块的封装方式为表面贴装(SMD),适用于自动化生产流程,提高了制造效率。
PFA70R590G 主要应用于需要高效能、高频率、高可靠性的电力电子系统中。例如,在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中,该模块能够提供高效率的能量转换,同时减小系统体积和重量。在可再生能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,PFA70R590G 的高效能特性可以显著提升能源转换效率,降低系统损耗。此外,该模块也适用于工业电源设备,如不间断电源(UPS)、伺服驱动器和电能质量调节设备,以提升设备的能效和稳定性。由于其优异的热管理和高频特性,PFA70R590G 也适用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路,有助于实现更紧凑和高效的电源设计。
PFA70R590B、PFA80R590G、PFD70R590G、CMF700C120H、STH30N65M5、SiC711EDK