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BAS21SLT1G 发布时间 时间:2025/5/29 20:14:36 查看 阅读:9

BAS21SLT1G是一种小型表面贴装双二极管芯片,广泛应用于各种高频和射频电路中。它具有低电容、快速恢复特性和高可靠性等优点。该器件由两个肖特基势垒二极管组成,适用于高频整流、信号检波、频率倍增和开关应用。其封装形式为SOT-363(SC-88A),体积小巧,非常适合紧凑型设计。
  BAS21SLT1G在通信设备、无线模块、消费类电子产品和其他高频电子系统中有着广泛的应用。

参数

类型:双二极管
  封装:SOT-363(SC-88A)
  正向电压(VF):0.3V(典型值,IF=5mA)
  反向漏电流(IR):1μA(最大值,VR=20V,Tamb=25°C)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):200mA
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  热阻(Rth):200K/W
  最大反向电压(VR):20V

特性

BAS21SLT1G具备以下主要特性:
  1. 快速恢复时间,适合高频应用。
  2. 肖特基势垒结构,降低正向压降,提高效率。
  3. 小尺寸SOT-363封装,节省PCB空间。
  4. 高可靠性设计,适应恶劣环境。
  5. 反向漏电流低,保证电路稳定性。
  6. 工作温度范围宽广,可应用于极端条件下的设备。
  7. 适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。

应用

BAS21SLT1G的典型应用场景包括:
  1. 高频整流电路。
  2. 射频信号检波。
  3. 开关电源中的同步整流。
  4. 无线通信模块中的保护电路。
  5. 消费类电子产品中的高频信号处理。
  6. 数据传输接口保护。
  7. 射频识别(RFID)系统的前端电路。
  8. 微波炉、蓝牙设备以及其他高频电路中作为关键元器件。

替代型号

BAS21WLT1G
  BAS21

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BAS21SLT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)225mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)250V
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAS21SLT1GOSDKR