时间：2025/8/6 12:40:24
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IXGH60N60是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压和高电流应用。该MOSFET具有60A的连续漏极电流能力以及600V的漏源击穿电压，适用于工业控制、电源转换和电动机驱动等领域。
最大漏极电流：60A
漏源击穿电压：600V
栅源电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.27Ω
栅极电荷：典型值为120nC
IXGH60N60具有卓越的性能特点，包括高电流处理能力、低导通电阻、快速开关速度和高可靠性。其低导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率，适用于高频开关应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载能力，能够在恶劣的环境条件下运行。
该MOSFET采用先进的平面技术制造，确保了稳定的电气特性和耐用性。其TO-247封装形式便于安装和散热，适用于各种高功率应用场景。器件的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。
IXGH60N60广泛应用于电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备。此外，它也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备和高功率LED照明系统等新兴领域。由于其高可靠性和优异的电气性能，该MOSFET在需要高效能功率管理的系统中表现出色。
IRFP460, FDPF460, STW10NK60Z, FCH47N60F
