PF2N80HA 时间：2025/12/28 15:07:03 阅读：15

PF2N80HA 是一款功率场效应晶体管（MOSFET），通常用于高功率和高电压的应用中。该器件具有较高的耐压能力，能够承受高达800V的漏源电压（VDS）。该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备良好的导通特性和较低的开关损耗，适用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各种电力电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2A
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

PF2N80HA MOSFET采用先进的平面硅技术，提供了卓越的导通电阻与开关性能的平衡。其漏源电压高达800V，使其非常适合用于高电压应用，如电源适配器、马达控制器和照明系统。该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，它具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于各种电路设计。其±30V的栅源电压能力确保了器件在不同工作条件下的稳定性。2A的连续漏极电流能力使得该器件在中等功率应用中表现出色。50W的最大功耗和-55°C至+150°C的工作温度范围进一步增强了其在不同环境下的适用性。