ASMT-QHB2-FEF0E 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高亮度、表面贴装(SMT)LED芯片。该器件基于高效率的InGaN(氮化铟镓)技术,适用于需要高亮度和低功耗的照明应用。该LED具有优异的发光效率、长寿命和稳定的光输出特性,广泛用于工业、汽车、消费电子和建筑照明等领域。
波长范围:620-630 nm(红色)
正向电压(VF):典型值2.0 V
正向电流(IF):最大350 mA
发光强度(IV):典型值100 mcd
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:SMT(表面贴装)
尺寸:3.2 mm x 2.8 mm x 1.1 mm
视角:120°
ASMT-QHB2-FEF0E 具有高亮度输出,适用于需要强光指示和照明的应用。其InGaN技术确保了稳定的光输出和较长的使用寿命,即使在高温环境下也能保持良好的性能。
该LED的低正向电压降低了整体功耗,使其适用于电池供电设备和节能照明系统。
此外,该器件采用表面贴装封装,便于自动化生产,提高组装效率和可靠性。
其宽视角设计使得在各种角度下都能获得良好的可视效果,适合用于显示面板和指示灯应用。
ASMT-QHB2-FEF0E 的工作温度范围较宽,适用于恶劣环境条件下的稳定运行。
该LED广泛应用于工业设备的指示灯、消费类电子产品显示、汽车内部照明、建筑装饰照明、医疗器械的面板指示、通信设备的状态显示等场景。
Cree C503B-RAS-CA0Y0AA1、OSRAM SFH 4715-A、Lumileds LUXEON C Red