时间：2025/12/23 10:14:02
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PET23122112是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点，能够有效提高系统效率并降低功耗。
由于其出色的电气性能和可靠性，PET23122112适合在多种工业和消费类电子应用中使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：42A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：开启时间 7ns，关断时间 15ns
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率转换。
2. 高额定电流允许更大的负载能力。
3. 快速的开关速度减少了开关损耗。
4. 强大的热性能使得器件能够在高温环境下稳定运行。
5. 提供卓越的静电防护能力以提高系统的可靠性。
6. 小尺寸封装有助于节省PCB空间。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 各种DC-DC转换器模块。
6. 电池管理系统中的保护电路。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5500
AO3400
