BUK6607-55C 时间：2025/7/4 6:21:42 阅读：18

BUK6607-55C是由安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性，使得BUK6607-55C在高频开关应用中表现出优异的性能。

参数

最大漏源电压：55V
　　连续漏极电流：49A
　　导通电阻：3.8mΩ
　　栅极电荷：26nC
　　总栅极电荷：26nC
　　输入电容：1620pF
　　最大工作结温：175°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUK6607-55C具有非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.8mΩ，这大大降低了传导损耗并提高了系统效率。
　　其优化的栅极电荷设计使开关损耗得以减少，从而非常适合高频开关应用。
　　该器件的最大漏源电压为55V，能够满足大部分低压功率转换需求。
　　此外，BUK6607-55C还具备出色的热稳定性，在高温环境下也能保持可靠的性能。
　　由于采用TO-220封装，它拥有良好的散热能力，便于安装和集成到各种功率电子电路中。

应用

BUK6607-55C广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关管。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业控制设备中的功率转换模块。
　　6. 汽车电子中的辅助功率电路组件。
　　该器件凭借其高性能和可靠性成为这些应用的理想选择。