时间：2025/7/12 16:14:20
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PESDUC2XD3V3BF 是一款基于硅技术的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为保护高速数据线和信号线路免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压瞬态影响而设计。该器件采用超紧凑型封装，具有低电容特性，能够确保信号完整性和高速性能。PESDUC2XD3V3BF 符合 IEC 61000-4-2 标准，提供高达 ±30kV（空气/接触放电）的 ESD 保护能力。
此 TVS 二极管适用于 USB 2.0、HDMI、以太网等高速接口的保护场景，并且其低泄漏电流和高钳位性能使其非常适合对噪声敏感的应用环境。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±18A（8/20μs 波形）
最大反向工作电压：3.3V
击穿电压：4.3V
箝位电压：7.9V
结电容：0.4pF（典型值）
响应时间：≤1ps
漏电流：≤1μA（最大值，在 25°C 下）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN1006-2（1.0x0.6mm）
PESDUC2XD3V3BF 具有以下显著特性：
1. 双向保护功能，支持双向信号传输路径的防护。
2. 极低的结电容（仅为 0.4pF），保证了对高速数据信号的影响最小化。
3. 快速响应时间（≤1ps），可以有效抑制瞬态过压事件。
4. 高度可靠的 ESD 保护能力，符合并超出 IEC 61000-4-2 国际标准的要求。
5. 超小型 DFN 封装，适合空间受限的设计。
6. 广泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适应各种恶劣环境条件。
7. 低泄漏电流（≤1μA），减少对电路正常运行的干扰。
这些特性使得 PESDUC2XD3V3BF 成为保护高速接口的理想选择，特别是在消费电子、通信设备及工业自动化领域中应用广泛。
PESDUC2XD3V3BF 主要应用于需要高性能 ESD 保护的场合，包括但不限于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB 2.0、USB 3.0、HDMI、DisplayPort 等。
2. 以太网端口保护，防止网络通信受到瞬态干扰。
3. 移动设备中的射频线路保护，例如智能手机和平板电脑。
4. 工业控制设备中的信号线保护，保障稳定的数据传输。
5. 汽车电子系统中的 CAN 总线和其他通信总线保护。
PESDUC2XD3V3BF 的低电容特性和快速响应时间使其成为上述应用场景中的理想防护解决方案。
PESD2CANB、PESD2USBLC、PESD5V0UCA
