时间：2025/4/27 17:20:17
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PESDU0521P0N是一款高压超结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），适用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及其他功率转换应用。该器件采用先进的超结技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
型号：PESDU0521P0N
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：650V
额定电流：7.3A
导通电阻：0.49Ω
栅极电荷：28nC
输入电容：1450pF
最大工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220FP
PESDU0521P0N采用了超结技术，实现了低导通电阻和高击穿电压的结合，从而提升了功率转换效率。
其快速开关性能降低了开关损耗，并且具备良好的热稳定性和可靠性，非常适合在恶劣环境下使用。
此外，该器件具有较宽的工作温度范围，能够适应多种工业应用场景。
它还集成了静电保护功能，提高了产品的鲁棒性。
PESDU0521P0N广泛应用于开关模式电源（SMPS）、适配器、充电器、电机驱动以及LED照明等领域。
由于其高压和高效特性，该器件特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的场合，例如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业电源等。
其高频开关能力也使其成为AC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路的理想选择。
PESD70U20P0N, PESD50U20P0N
