PESDNC5D5VU 时间：2025/6/28 12:50:50 阅读：7

PESDNC5D5VU是一款高性能的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压脉冲的损害。该器件采用紧凑的DFN封装，具有低电容和低箝位电压特性，非常适合高速数据线和信号线的保护应用。

参数

工作电压：±5V
　　峰值脉冲电流：±20A
　　响应时间：1ps
　　结电容：4pF
　　最大反向工作电压：±6V
　　最大击穿电压：±7.5V
　　存储温度范围：-65℃至175℃
　　工作温度范围：-40℃至85℃

特性

PESDNC5D5VU具备超低电容特性，适合用于高速接口保护。
　　其双向对称设计可以同时保护正负方向的瞬态电压脉冲。
　　由于采用了先进的半导体工艺技术，该器件能够提供非常快的响应速度，确保在瞬态事件发生时迅速箝位电压，从而保护后端电路。
　　该芯片还具有出色的重复浪涌能力，能够在多次瞬态事件中保持稳定性能。
　　此外，它的小型DFN封装使其非常适合空间受限的应用场景。

应用

PESDNC5D5VU广泛应用于USB 2.0/3.0、HDMI、以太网、PCI Express等高速数据接口的ESD保护。
　　它也适用于手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备及其他便携式电子产品的信号线保护。
　　此外，在工业自动化设备、通信设备和汽车电子系统中也可以使用此器件来增强系统的抗干扰能力。