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SI3495DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/16 18:05:17 查看 阅读:5

SI3是来自Silicon Labs(硅实验室)的一款高度集成的低功耗蓝牙系统级封装(SiP)模块。该模块基于EFR32BG22系列蓝牙SoC芯片,内置了射频前端、天线和必要的无源元件,适合快速开发低功耗蓝牙应用。它支持Bluetooth 5.2协议栈,并具有出色的无线性能和超低功耗特性,适用于电池供电设备。

参数

工作电压:1.7V-3.6V
  通信协议:Bluetooth 5.2
  发射功率:+6dBm
  接收灵敏度:-104.5dBm
  最大数据速率:2Mbps
  休眠电流:<1uA
  待机电流:1.2uA
  工作温度范围:-40°C to +85°C
  封装尺寸:5mm x 5mm

特性

SI3495DV-T1-E3模块集成了EFR32BG22蓝牙SoC芯片,其ARM Cortex-M33内核主频高达27MHz,支持TrustZone技术以增强安全性。
  模块具备高集成度,减少了外围元件的需求,降低了设计复杂度和PCB面积占用。
  支持长距离模式和高精度测向功能(AoA/AoD),为定位服务提供了可能性。
  提供丰富的外设接口,包括UART、I2C、SPI等,便于连接各种传感器和其他外设。
  超低功耗架构使得该模块非常适合应用于需要长时间运行的便携式或电池供电设备中。

应用

该模块广泛应用于智能家居设备(如智能灯泡、温控器等)、可穿戴设备(如健身追踪器、智能手表等)、医疗健康设备(如脉搏血氧仪、血糖仪等)、工业自动化(如无线传感器网络节点)以及其他需要低功耗蓝牙连接的场景。此外,由于其小尺寸和低功耗特点,也特别适合对空间和能效有严格要求的应用场合。

替代型号

SI3494DV-T1-E3
  SI3496DV-T1-E3

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SI3495DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3495DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)750mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3495DV-T1-E3TR