时间：2025/6/29 12:07:29
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PESDNC5D3V3B是一款基于氮化镓（GaN）技术的高可靠性瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有极低的电容特性，非常适合高速数据线路和高频信号应用。PESDNC5D3V3B采用DFN封装形式，具备小型化、高效能和卓越的热性能特点。
工作电压：3.3V
最大反向工作电压：3.9V
击穿电压：4.2V
峰值脉冲电流：5A
钳位电压：6.8V
电容：1.0pF
响应时间：<1ns
封装形式：DFN-2
工作温度范围：-55℃至+150℃
PESDNC5D3V3B的核心特性包括以下几点：
1. 极低的负载电容（1.0pF），确保对高速数据线路的影响最小。
2. 快速响应时间（<1ns），能够迅速抑制瞬态过压事件。
3. 高浪涌耐受能力（高达5A峰值脉冲电流），适用于恶劣环境下的电路保护。
4. 小型化的DFN-2封装，适合空间受限的应用场景。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），保证在极端条件下的稳定运行。
6. 符合AEC-Q101标准，适用于汽车级应用。
7. RoHS合规，环保且符合国际法规要求。
PESDNC5D3V3B广泛应用于需要高速信号保护的领域，包括但不限于：
1. USB 2.0/3.0接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口防护。
3. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线保护。
4. 移动通信设备中的射频前端保护。
5. 工业自动化设备中的控制信号保护。
6. 医疗电子设备中的敏感信号防护。
PESD5V0UTC,PESD5V0BR
