时间：2025/7/9 11:43:54
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PESDNC2XD4V5B 是一款基于硅雪崩二极管 (TSA) 技术的多通道 ESD 保护器件，专为高速数据线提供静电防护而设计。该器件具有极低的电容特性，确保在不影响信号完整性的前提下提供高效的瞬态电压抑制能力。
其结构支持双向保护，适用于各种差分和单端信号线路。此外，PESDNC2XD4V5B 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用，能够在严苛环境下保持可靠性。
工作电压：±4V
最大工作电流：1A
动态电阻：0.3Ω
响应时间：≤1ps
结电容：0.4pF
漏电流：1μA（最大值，@VR=4V）
封装形式：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESDNC2XD4V5B 具有以下显著特性：
1. 极低的结电容（仅 0.4pF），非常适合高速接口保护。
2. 快速响应时间（≤1ps），能够有效抑制瞬态过电压。
3. 高度可靠，符合 AEC-Q101 标准，适合汽车电子应用。
4. 双向保护设计，兼容差分信号和单端信号。
5. 小型化封装（DFN在空间受限的设计中使用。
6. 支持高达 ±4V 的工作电压范围，适用于多种应用场景。
7. 能够承受多次 ESD 冲击而不损坏，保障系统长期稳定运行。
PESDNC2XD4V5B 广泛应用于需要高速数据传输和高可靠性保护的场景，具体包括：
1. 汽车电子系统中的 CAN、LIN 和 FlexRay 总线保护。
2. 工业自动化设备中的 USB、HDMI 和以太网接口保护。
3. 移动通信设备中的射频前端保护。
4. 医疗设备中的传感器接口保护。
5. 高速数据链路中的信号完整性保护，例如 PCIe 和 SATA 接口。
6. 各类消费类电子产品中的 ESD 和浪涌保护解决方案。
PESD2CAN4ULC, PESD2R1HA1BG, PESD7V1X1BDSA
