PESDNC2FD8VBA是一种瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态过压事件的损害。该器件采用紧凑的封装形式,适合在空间受限的应用中使用。它具有低电容特性,能够保持信号完整性,并提供快速响应时间以有效保护高速数据线路。
此TVS二极管阵列通常应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中的接口保护,如USB、HDMI、以太网等。通过将PESDNC2FD8VBA集成到电路设计中,可以显著提高系统的可靠性和稳定性。
类型:TVS二极管阵列
工作电压:±8V
峰值脉冲电流:4A
箝位电压:15.3V
动态电阻:0.6Ω
电容:15pF
响应时间:1ps
最大工作温度:-55℃ 至 +150℃
封装形式:DFN2071B
PESDNC2FD8VBA具有双向保护功能,可同时处理正负极性的瞬态过压事件。其低电容值(15pF)使得它非常适合高速数据线的保护需求,不会对信号质量造成显著影响。
此外,该器件的快速响应时间(1ps)确保了即使是最短的瞬态事件也能被及时抑制。高浪涌承受能力(4A峰值脉冲电流)使其能够在恶劣环境下长期稳定运行。
PESDNC2FD8VBA还采用了无铅设计,符合RoHS环保标准,便于满足全球市场的法规要求。
PESDNC2FD8VBA广泛应用于各种需要ESD和过压保护的场景,例如:
- USB 2.0/3.0端口保护
- HDMI接口防护
- 以太网PHY保护
- 移动设备(智能手机、平板电脑)接口防护
- 工业控制设备中的通信总线保护
- 消费类音频视频设备的数据线防护
由于其低电容特性和高可靠性,该器件特别适用于高速数据传输环境下的电路保护。
PESD2CANBD8VBA, PESD2FD8VBA