时间：2025/9/7 11:03:57
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HM5264165DTTA60 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该SRAM芯片具有较高的读写速度和稳定性，适用于需要快速数据存取的场合，如工业控制、网络设备、通信设备及嵌入式系统等。该型号属于高速CMOS SRAM，采用CMOS工艺制造，功耗较低，同时具备较高的可靠性。
容量：256Kbit（64K x 4）
组织结构：64K x 4
工作电压：5V
访问时间：55ns（最大）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数量：32
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
读电流（最大）：200mA
待机电流（最大）：10mA
HM5264165DTTA60 SRAM芯片具备多项优异特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其访问时间仅为55ns，属于高速SRAM芯片，能够满足需要快速数据处理的应用需求。芯片采用CMOS工艺制造，不仅具备较低的功耗，在待机模式下电流消耗也非常低，有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生。
此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行，适合工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用场合。其采用TSOP封装形式，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。
该芯片的并行接口设计使其与多种微处理器和控制器兼容性良好，便于系统集成。其256Kbit的容量（组织为64K x 4）适用于中等规模的数据缓存、临时存储和高速缓冲应用场景。
HM5264165DTTA60 SRAM芯片广泛应用于多种电子设备和系统中。其高速访问特性使其非常适合用作嵌入式系统的高速缓存、数据缓冲区以及需要快速响应的控制单元。在工业自动化领域，它可作为PLC（可编程逻辑控制器）或工业计算机的临时数据存储器。
该芯片也常用于网络设备，如路由器和交换机中的数据包缓存，以提升数据转发效率。在通信设备中，HM5264165DTTA60可用于存储临时数据或作为协议处理单元的高速存储器。
此外，它还可用于测试设备、医疗电子设备、安防系统等对稳定性和速度有较高要求的场景。
CY62148EVLL-55ZSXI, IS62LV25616-55TLI, IDT71V416SA55B, AS6C25616-55BAN
