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PESDNC2FD5VU 发布时间 时间:2025/8/17 2:59:36 查看 阅读:2

PESDNC2FD5VU是一款由NXP Semiconductors生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列芯片,专门设计用于保护敏感的电子电路免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。该器件采用双通道配置,每个通道均可独立用于线路保护,适用于高速数据线路和低电压应用。PESDNC2FD5VU采用了NXP先进的TrEOS技术,具备低钳位电压和快速响应时间的特点,能够在极端条件下提供可靠的保护。

参数

制造商: NXP Semiconductors
  产品类型: ESD抑制器/保护二极管
  通道数: 2
  工作电压: 5V
  最大反向工作电压(VRWM): 5V
  钳位电压(Vc): 最大13V(在Ipp = 1A条件下)
  最大峰值脉冲电流(Ipp): ±1A
  响应时间: <1ns
  封装类型: SOT143
  工作温度范围: -55°C至+150°C
  安装类型: 表面贴装(SMD)
  引脚数: 4

特性

PESDNC2FD5VU具有多项先进的技术特性,使其在ESD保护应用中表现出色。首先,它采用了NXP的TrEOS技术,这是一种结合了硅雪崩技术和集成电容的创新方法,可提供卓越的瞬态电压抑制性能,同时保持信号完整性。其次,该器件的双通道设计允许独立保护两条不同的数据线路,适用于多种接口保护需求。
  其最大反向工作电压为5V,适合用于低压电路保护,同时具备极低的漏电流,在正常工作条件下对电路的影响非常小。此外,PESDNC2FD5VU的钳位电压较低,在发生ESD事件时能够迅速将电压限制在安全范围内,从而有效保护下游元件免受损坏。响应时间小于1纳秒,确保在高速瞬态事件中提供即时保护。
  该器件采用紧凑的SOT143封装,节省PCB空间,非常适合用于便携式电子设备、通信模块和工业控制系统等空间受限的应用场景。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于严苛的工业和汽车环境。

应用

PESDNC2FD5VU广泛应用于需要高水平ESD保护的电子系统中。典型的应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据线路的保护。它特别适用于便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,这些设备中的敏感集成电路容易受到静电放电的影响。
  在工业自动化和控制系统中,PESDNC2FD5VU可用于保护现场总线接口、传感器输入和控制线路,确保设备在恶劣电磁环境中的稳定运行。此外,它也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)和车身控制模块(BCM),为这些关键系统提供可靠的保护。
  由于其低电容特性,PESDNC2FD5VU也可用于射频(RF)前端模块和无线通信接口的保护,确保信号传输的质量不受影响。在消费类电子产品中,它常用于保护音视频接口、SD卡插槽和电源管理接口等易受ESD影响的部分。

替代型号

PESDNC2VD5VU, PESDNC2SD5VU

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