PESDNC2FD3V3B是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和其他过压瞬态的影响。该器件采用双向设计,能够有效钳位正负方向的瞬态电压,从而确保电路的安全和稳定运行。
这款芯片基于硅雪崩技术制造,具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点,非常适合高速数据线和信号线的保护应用。
额定电压:±3.3V
峰值脉冲电流:6A
箝位电压:±5.6V
动态电阻:0.4Ω
结电容:18pF
响应时间:1ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:DO-214AC (SMA)
1. 双向保护设计,适用于双向信号线路
2. 极低的电容值,适合高速数据传输线路
3. 快速的响应时间,能够及时抑制瞬态电压
4. 高浪涌耐受能力,可承受多次重复的过压冲击
5. 工作温度范围宽广,适应各种环境条件
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计
1. USB接口保护
2. HDMI接口保护
3. 高速数据通信线路保护
4. 工业自动化控制信号保护
5. 汽车电子系统中的信号线保护
6. 移动设备及消费类电子产品中的ESD防护
PESD2CAN-T, PESD2CANL-T, SMAJ3.3A