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PESDNC2FD3V3B 发布时间 时间:2025/6/28 12:52:36 查看 阅读:6

PESDNC2FD3V3B是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和其他过压瞬态的影响。该器件采用双向设计,能够有效钳位正负方向的瞬态电压,从而确保电路的安全和稳定运行。
  这款芯片基于硅雪崩技术制造,具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点,非常适合高速数据线和信号线的保护应用。

参数

额定电压:±3.3V
  峰值脉冲电流:6A
  箝位电压:±5.6V
  动态电阻:0.4Ω
  结电容:18pF
  响应时间:1ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DO-214AC (SMA)

特性

1. 双向保护设计,适用于双向信号线路
  2. 极低的电容值,适合高速数据传输线路
  3. 快速的响应时间,能够及时抑制瞬态电压
  4. 高浪涌耐受能力,可承受多次重复的过压冲击
  5. 工作温度范围宽广,适应各种环境条件
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计

应用

1. USB接口保护
  2. HDMI接口保护
  3. 高速数据通信线路保护
  4. 工业自动化控制信号保护
  5. 汽车电子系统中的信号线保护
  6. 移动设备及消费类电子产品中的ESD防护

替代型号

PESD2CAN-T, PESD2CANL-T, SMAJ3.3A

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