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PESDMC2XD18VB 发布时间 时间:2025/7/8 9:19:43 查看 阅读:11

PESDMC2XD18VB 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关芯片,广泛应用于电源管理、快速充电器、DC-DC 转换器和高频率逆变器等领域。该器件具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和功率密度。
  这款芯片采用了先进的封装技术,支持表面贴装,简化了设计和制造流程,同时提高了可靠性。

参数

类型:功率开关
  材料:氮化镓 (GaN)
  额定电压:650V
  额定电流:2A
  导通电阻:180mΩ
  封装形式:DFN-8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大开关频率:5MHz
  栅极驱动电压:4.5V 至 6V

特性

PESDMC2XD18VB 的主要特性包括:
  1. 高效的氮化镓技术,提供比传统硅基 MOSFET 更高的开关速度和更低的导通损耗。
  2. 内置保护功能,如过流保护和过温关断,确保系统在异常条件下的安全性。
  3. 小型化的 DFN-8 封装,适合紧凑型设计需求。
  4. 支持高频操作,减少磁性元件的体积和重量,从而优化整体解决方案的成本和尺寸。
  5. 具备零反向恢复电荷特性,降低开关节点振荡,进一步提升效率。
  6. 完全兼容标准 CMOS 和 BiCMOS 栅极驱动技术,便于与现有系统集成。

应用

PESDMC2XD18VB 广泛适用于以下领域:
  1. 快速充电适配器和移动设备电源管理。
  2. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  3. DC-DC 转换模块,尤其是隔离式和非隔离式拓扑结构。
  4. 高频逆变器和 LED 驱动器。
  5. 消费类电子产品中的小型化和高效化设计。
  6. 工业级电源系统,例如通信基站和服务器电源供应单元。

替代型号

PESD10H100B, PESD5R1X1BSF, PESD7V0X1BLT

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