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GCQ1555C1HR36BB01D 发布时间 时间:2025/6/10 15:08:38 查看 阅读:24

GCQ1555C1HR36BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  这款芯片主要针对需要高电流输出的应用设计,适用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。

参数

型号:GCQ1555C1HR36BB01D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  栅极驱动电压(Vgs):-5V ~ 20V
  最大漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ @ Vgs=10V
  总功耗(Ptot):220W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ ~ 175℃

特性

GCQ1555C1HR36BB01D具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关性能,有助于降低开关损耗,尤其在高频应用中表现优异。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力,从而提高可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代绿色电子产品的要求。
  6. 良好的热稳定性,即使在极端温度环境下也能提供可靠的性能。

应用

该芯片适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 汽车电子系统中的负载开关与电机驱动。
  4. 工业设备中的大电流负载控制。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  6. 各类高效节能型电源解决方案。
  GCQ1555C1HR36BB01D凭借其卓越的性能,成为众多高压、大电流应用的理想选择。

替代型号

GCQ1555C1HR36AB01D, IRF540N, FDP150AN

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GCQ1555C1HR36BB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.31427卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.36 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-