时间：2025/5/7 13:06:53
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IRF7456TRPBF 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Vishay公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计，能够在低栅极驱动电压下实现快速开关，非常适合用于功率转换、负载切换和电机控制等应用。其小型化的封装使其在空间受限的设计中具有优势。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ
栅极电荷(Qg)：25nC
输入电容(Ciss)：2230pF
总功耗(Ptot)：220W
工作温度范围(Tj)：-55℃至175℃
封装类型：TO-263-3
IRF7456TRPBF具备低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。
该器件的高雪崩击穿能量使其在异常条件下更可靠。
支持快速开关操作，能够显著降低开关损耗。
逻辑电平驱动兼容性简化了电路设计，并降低了对驱动电路的要求。
符合RoHS标准，适合环保要求较高的应用场景。
其优化的热性能设计可确保在高温环境下的稳定运行。
该MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电池保护电路、负载开关、电机驱动以及电信设备中的功率管理模块。
由于其出色的开关特性和低导通电阻，它也适用于高效能要求的逆变器和LED驱动器。
此外，IRF7456TRPBF还可以用作同步整流器中的关键元件，以提升系统的整体效率。
IRF7407, IRF7409, IRF7457
