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DR0810-474L 发布时间 时间:2025/12/27 23:32:03 查看 阅读:13

DR0810-474L是一款由Diotec Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装。该器件设计用于高频开关应用,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于高效率的电源转换系统。其标称最大重复反向电压(VRRM)为80V,最大平均整流电流(IF(AV))为1A,适合在紧凑型电源设计中替代传统的快恢复二极管。DR0810-474L的命名中,“474”通常表示其电容值或产品批次代码,但在此上下文中更可能代表特定的产品序列号或内部编码,并非标准容量标识。该二极管广泛应用于消费类电子产品、便携式设备、DC-DC转换器以及逆变器电路中,提供可靠的单向导通功能。由于其小型化封装和优良的热性能,能够在有限空间内实现高效的能量传输与管理。

参数

型号:DR0810-474L
  封装类型:SOD-123FL
  极性:单路肖特基二极管
  最大重复反向电压 VRRM:80V
  最大直流阻断电压 VR:80V
  最大平均整流电流 IF(AV):1A
  峰值正向浪涌电流 IFSM:30A(@8.3ms, 半正弦波)
  最大正向电压降 VF:0.52V @ 1A (典型值)
  最大反向漏电流 IR:0.1mA @ 80V (25°C)
  反向恢复时间 trr:<1ns
  工作结温范围 TJ:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围 TSTG:-55°C 至 +150°C
  热阻 RθJA:约200 K/W(依PCB布局而定)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

DR0810-474L具备出色的电气性能和可靠性,特别适合高频开关电源环境下的整流任务。其核心优势之一是极低的正向导通压降,在1A电流下典型值仅为0.52V,显著降低了导通损耗,提升了整体能效。相比传统PN结二极管,这种低VF特性使得它在电池供电设备或对功耗敏感的应用中表现尤为突出。此外,由于采用了肖特基势垒结构,该器件几乎不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短(小于1纳秒),有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流辅助电路以及反激式电源中的续流路径。
  该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,节省宝贵的PCB空间,便于自动化贴片生产,适用于高密度组装需求。尽管体积小巧,但其封装仍具备良好的散热能力,配合适当的PCB铜箔设计可支持持续1A的平均整流电流输出。热阻RθJA约为200K/W,意味着在自然对流条件下每瓦功耗将导致结温上升约200°C,因此在大负载应用中建议优化布线以增强散热效果。
  DR0810-474L的工作温度范围宽泛,从-55°C到+125°C,确保了在恶劣环境条件下的稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。同时,其反向漏电流控制良好,在80V反向电压下室温时不超过0.1mA,有助于减少待机功耗。虽然肖特基二极管普遍存在的问题是相对较高的反向漏电和较低的耐压能力,但该型号通过工艺优化在80V耐压等级上实现了性能平衡,兼顾了效率与可靠性。总体而言,DR0810-474L是一款高性能、小体积、高效率的整流解决方案,适用于现代节能型电子系统的紧凑设计需求。

应用

DR0810-474L主要应用于需要高效、高频整流的小功率电源系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换模块,作为续流二极管或防倒灌二极管使用,确保电源切换时的能量回馈路径畅通且损耗最低。在开关模式电源(SMPS)中,该器件常被用作次级侧整流元件,特别是在反激式或降压型拓扑结构中,利用其低正向压降特性提高整体转换效率。
  此外,该二极管也广泛用于电池管理系统(BMS)、LED驱动电源、USB充电接口保护电路以及光伏微逆变器等绿色能源相关领域。在这些应用中,快速响应能力和低功耗特性至关重要。例如,在USB PD快充协议支持的电源适配器中,DR0810-474L可用于次级侧同步整流的体二极管路径,当主MOSFET关断时提供临时导通通道,防止电压反冲损坏其他组件。
  工业控制板上的逻辑电源隔离、传感器供电回路中也可采用此类肖特基二极管进行电压钳位和反接保护。由于其封装尺寸小、重量轻,特别适合自动化生产线进行高速贴片作业,满足大批量制造的需求。在汽车电子中,虽然该器件未明确标注AEC-Q101认证,但在非关键性的车载信息娱乐系统或辅助电源模块中仍有应用潜力。总之,凡是要求高效率、小体积、快速响应的低压直流电源系统,都是DR0810-474L的理想应用场景。

替代型号

SB180

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