时间：2025/4/3 11:18:24
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PESDALC10N5VU-MS 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型场效应晶体管（eGaN FET），由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生产。该器件具有高开关速度、低导通电阻和紧凑封装的特点，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、无线充电以及其他需要高效能功率转换的应用。
由于其卓越的性能表现，PESDALC10N5VU-MS 被广泛应用于消费电子、工业设备及通信系统中，提供更小尺寸、更高效率的解决方案。
额定电压：600V
导通电阻：70mΩ
栅极阈值电压：1.8V
最大漏极电流：3.5A
封装类型：DFN8
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻与电容，能够显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 高频率操作能力，支持 MHz 级别的开关频率，从而减少磁性元件体积并提高功率密度。
3. 内置保护功能，如过流保护和静电放电保护，提高了器件的可靠性。
4. 紧凑的 DFN8 封装形式，节省了 PCB 布局空间。
5. 支持零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS），进一步优化了系统的效率。
6. 完全兼容传统的 MOSFET 驱动电路，便于设计迁移。
1. 高效 DC-DC 转换器，尤其是在同步整流和升压转换中。
2. 无线充电模块，为高效率谐振电路提供支持。
3. 快速充电适配器，满足现代移动设备对快速充电的需求。
4. LED 驱动电路，用于提升照明系统的功率因数校正（PFC）。
5. 工业电机驱动器中的功率级控制。
6. 可再生能源逆变器，例如太阳能微逆变器。
PSMN0R9-60YLH, PSMN2R0-60YLC
