时间：2025/7/2 16:58:45
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PESDALC10N5VU-ES 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率电子开关器件，适用于高频和高效能应用。该型号采用增强型常闭结构（E-Mode），能够显著提升电源转换效率并减少系统尺寸。它主要应用于适配器、充电器、DC-DC 转换器以及其他需要高频率工作的场合。
这款 GaN 器件具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高温环境下保持稳定运行。同时，其封装设计优化了散热性能，进一步提升了可靠性和使用寿命。
型号：PESDALC10N5VU-ES
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
Vds（漏源极电压）：650 V
Rds(on)（导通电阻）：100 mΩ
Id（连续漏极电流）：5 A
Qg（栅极电荷）：35 nC
Ciss（输入电容）：2580 pF
Coss（输出电容）：170 pF
Eoss（输出电荷能量）：9 nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.5 V 至 3 V
Tj（结温范围）：-40 ℃ 至 +150 ℃
封装形式：DFN8L
PESDALC10N5VU-ES 的核心优势在于其使用了先进的氮化镓材料，这种材料相比传统硅器件具有更高的电子迁移率和更低的寄生电容。以下为该器件的主要特点：
1. 高效性能：得益于低 Rds(on) 和小 Qg 特性，该器件在高频工作时能够大幅降低传导损耗和开关损耗。
2. 小型化设计：由于 GaN 技术允许更高的开关频率，从而缩小磁性元件体积，实现更紧凑的电路布局。
3. 快速开关能力：具备超快的开关速度，支持 MHz 级别的工作频率。
4. 出色的热稳定性：即使在高温环境下也能维持较低的导通电阻漂移。
5. 强大的抗电磁干扰能力：通过优化的内部结构减少了不必要的寄生参数影响。
6. 易于驱动：兼容标准逻辑电平驱动，简化了外围电路设计。
PESDALC10N5VU-ES 广泛应用于各类需要高效功率转换的场景中，包括但不限于：
1. USB-PD 充电器及快充适配器
2. 笔记本电脑和移动设备充电解决方案
3. LED 驱动电源
4. DC-DC 转换器模块
5. 无线充电发射端与接收端
6. 工业级 AC-DC 开关电源
7. 消费类电子产品的辅助电源单元
8. 通信设备中的小型化电源管理方案
PESD5R100PA, PESD6R100PA
