时间：2025/8/9 19:19:47
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FMV16N60E是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制等应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率功率转换系统。FMV16N60E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在中高功率应用场景中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：16A
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值约为0.27Ω
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
FMV16N60E具有多个优良的电气和热性能特性。首先，其高击穿电压（600V）使其适用于多种高压应用，如开关电源和逆变器。其次，较低的导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热能力，确保在较高工作电流下仍能维持稳定性能。FMV16N60E还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在突变负载条件下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于系统设计和集成。
FMV16N60E广泛应用于多种功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、电机驱动和工业控制设备。此外，它也可用于LED照明驱动器、电池充电器以及太阳能逆变器等新能源相关设备中。由于其高耐压和大电流能力，FMV16N60E特别适合需要高效能和高可靠性的中高功率系统。
FQA16N60C、IRFBC40、K2645、STF16N60DM2、FDPF16N60
