时间：2025/7/22 16:08:20
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STB14NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件设计用于高功率开关应用，具备高耐压和低导通电阻的特点。它通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和各种工业电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续14A
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
STB14NM50N MOSFET的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压最大可达500V，这使其非常适合用于高电压应用。该器件的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力。漏极电流的连续最大值为14A，能够支持较高的功率需求。
此外，STB14NM50N的导通电阻为0.38Ω，这一较低的Rds(on)值可以减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。器件的功率耗散能力为125W，能够在较高温度下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种苛刻的环境条件。
该MOSFET采用TO-220封装形式，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步提升散热效果。TO-220封装广泛用于工业电子设备中，具有较高的可靠性和兼容性。
STB14NM50N广泛应用于电源管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS系统、照明设备以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其在开关电源和高功率负载控制中表现出色。
STP14NK50Z, IRFBC40, FDPF14NM50
