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PESD9B3V3 发布时间 时间:2025/12/23 13:03:32 查看 阅读:15

PESD9B3V3是Nexperia(前身为恩智浦半导体的分立元件部门)生产的一款双向TVS(瞬态电压抑制器)二极管。它主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压的影响。该器件采用DFN1412-2封装,具有超低电容和出色的动态性能,非常适合高速数据线和高频应用。
  该器件的设计符合IEC 61000-4-2国际标准,并且能够在±3.3V的工作电压下提供高达±20kV(空气放电)和±20kV(接触放电)的ESD保护。

参数

工作电压:±3.3V
  峰值脉冲电流IPP:7A
  钳位电压VC:15.8V
  动态电阻RDYN:0.6Ω
  电容CD:0.2pF
  响应时间tr:<1ns
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

PESD9B3V3具备以下关键特性:
  1. 双向保护功能使其能够同时处理正负极性瞬态事件。
  2. 超低电容(仅0.2pF)使得它非常适合用于高速信号线路,例如USB 3.0、HDMI和以太网等。
  3. 出色的动态电阻(仅0.6Ω)确保了在瞬态事件期间的有效电压钳位。
  4. 快速响应时间(小于1ns),可立即抑制瞬态电压,从而保护下游电路。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 具有高可靠性,能够在极端温度范围内稳定运行。

应用

PESD9B3V3广泛应用于各种需要高性能ESD保护的场景中,包括但不限于:
  1. 高速数据接口保护,如USB、HDMI、DisplayPort和以太网。
  2. 移动设备中的射频线路保护,例如智能手机和平板电脑。
  3. 工业控制系统的通信端口保护。
  4. 汽车电子系统中的信号线路保护,例如CAN总线和LIN总线。
  5. 物联网(IoT)设备中的传感器和通信模块保护。

替代型号

PESD9B3V3M, PESD9B3VA, PESD9B3VB

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