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2SB1260T100R 发布时间 时间:2025/6/24 8:10:13 查看 阅读:7

2SB1260T100R是一种双极型功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该器件具有高耐压、大电流承载能力和低饱和电压的特点,适合在高压工业应用中使用,例如电机驱动、开关电源和逆变器等场景。
  该型号属于东芝(Toshiba)的功率晶体管系列,采用TO-247封装形式,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

集电极-发射极击穿电压:1200V
  集电极最大电流:60A
  功率耗散:300W
  集电极-发射极饱和电压:2.5V
  直流电流增益(hFE):20
  过渡频率:3.5MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

2SB1260T100R是一款专为高压应用设计的NPN型功率晶体管,其主要特点包括:
  1. 高击穿电压(1200V),能够在高压条件下稳定运行。
  2. 大电流承载能力(60A),适用于需要高电流输出的应用。
  3. 较低的饱和电压(2.5V),有助于减少功率损耗并提高效率。
  4. 宽广的工作温度范围(-55℃至+150℃),使其能在极端环境下正常工作。
  5. 采用了TO-247封装,具有良好的散热性能,可有效降低热阻,提升器件的可靠性。

应用

该晶体管广泛应用于各种电力电子设备中,常见的应用场景包括:
  1. 开关电源中的功率开关元件。
  2. 工业电机驱动中的功率放大器。
  3. 不间断电源(UPS)系统中的逆变电路。
  4. 电动车辆中的驱动控制器。
  5. 其他需要高电压和大电流处理能力的电力转换设备。

替代型号

2SD1260T100R, 2SJ497

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2SB1260T100R参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SB1260T100R-ND2SB1260T100RTR