2SB1260T100R是一种双极型功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该器件具有高耐压、大电流承载能力和低饱和电压的特点,适合在高压工业应用中使用,例如电机驱动、开关电源和逆变器等场景。
该型号属于东芝(Toshiba)的功率晶体管系列,采用TO-247封装形式,具有较高的可靠性和稳定性。
集电极-发射极击穿电压:1200V
集电极最大电流:60A
功率耗散:300W
集电极-发射极饱和电压:2.5V
直流电流增益(hFE):20
过渡频率:3.5MHz
存储温度范围:-55℃至+150℃
工作结温范围:-55℃至+150℃
2SB1260T100R是一款专为高压应用设计的NPN型功率晶体管,其主要特点包括:
1. 高击穿电压(1200V),能够在高压条件下稳定运行。
2. 大电流承载能力(60A),适用于需要高电流输出的应用。
3. 较低的饱和电压(2.5V),有助于减少功率损耗并提高效率。
4. 宽广的工作温度范围(-55℃至+150℃),使其能在极端环境下正常工作。
5. 采用了TO-247封装,具有良好的散热性能,可有效降低热阻,提升器件的可靠性。
该晶体管广泛应用于各种电力电子设备中,常见的应用场景包括:
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动中的功率放大器。
3. 不间断电源(UPS)系统中的逆变电路。
4. 电动车辆中的驱动控制器。
5. 其他需要高电压和大电流处理能力的电力转换设备。
2SD1260T100R, 2SJ497