产品类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流反向电压（VR）：100V
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：2A（每元件）
　　最大正向压降（VF）：1.0V（在IF = 1A时，典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：10μA（在VR = 100V，25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：约70°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 2ns（典型值）

URY2G100MHD采用先进的硅锗（SiGe）肖特基技术，实现了传统肖特基二极管难以达到的高反向耐压与低正向压降之间的平衡。其核心优势在于能够在高达100V的反向电压下稳定工作，同时保持较低的导通损耗，这在常规肖特基二极管中较为罕见，因为大多数标准肖特基器件的反向耐压通常限制在60V以下。这种高耐压能力使其能够应用于更高电压等级的DC-DC转换拓扑中，例如在同步整流或续流二极管配置中替代传统的PN结二极管，从而提升系统效率。该器件的正向压降低至1.0V左右（在1A条件下），显著减少了功率损耗和发热，提高了电源转换效率，尤其适用于电池供电设备和节能型电源模块。
　　该二极管具有极快的开关速度，反向恢复时间（trr）不超过2ns，几乎无反向恢复电荷，因此在高频开关应用中表现出色，可有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于高频PWM控制的开关电源、射频检波电路以及高速数字信号整形电路。双共阴极结构允许两个独立的肖特基元件共享一个公共阴极连接，简化了PCB布线并节省了空间，特别适合多通道整流或冗余保护设计。
　　在可靠性方面，URY2G100MHD具备优异的热稳定性和长期工作稳定性。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的正常运行，适用于汽车电子、工业自动化等对温度敏感的应用场景。SMA封装具有良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。此外，该器件通过了严格的ESD测试（IEC 61000-4-2 Level 4），具备较强的抗静电能力，可在装配和使用过程中有效防止静电损伤，增强系统鲁棒性。整体而言，URY2G100MHD是一款集高性能、高可靠性和小型化于一体的先进功率半导体器件。

URY2G100MHD适用于多种需要高效、快速整流和信号处理的电子系统。常见应用包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流与续流二极管，特别是在隔离式和非隔离式DC-DC转换器中，利用其低正向压降和高耐压特性提升转换效率并降低热耗散。在电池管理系统（BMS）和便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、移动电源）中，该器件可用于电源路径管理与反向电流阻断，保障系统安全。其高速响应能力也使其成为高频信号检测、包络检波和射频解调电路的理想选择，广泛应用于通信模块和无线传感节点。
　　在数字电路接口保护方面，URY2G100MHD可用于I/O端口的瞬态电压抑制和ESD防护，防止因静电放电或电压尖峰导致的芯片损坏。其双共阴极结构便于构建双通道保护电路，适用于USB、HDMI、LVDS等高速数据接口的信号完整性保护。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED驱动电源、ECU电源模块等子系统中，满足AEC-Q101可靠性标准（若为车规级版本）的要求。此外，在工业控制设备、PLC模块、电机驱动电路中，它可作为钳位二极管或自由轮二极管使用，吸收感性负载关断时产生的反电动势，保护开关元件（如MOSFET或IGBT）。由于其表面贴装封装和小尺寸特点，也广泛用于高密度PCB设计和紧凑型电源适配器中。

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　　 "URD2G100MHD",
　　 "MBRS2100T3G",
　　 "DMK2100L",
　　 "SS24-S",
　　 "SK210A"
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