时间：2025/9/14 16:50:39
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PESD8V0S1ULDYL是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的单向静电放电（ESD）保护二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压事件的影响而设计。该器件具有小型化封装，适用于空间受限的应用，并提供高效的电压钳位和快速响应能力，以确保受保护设备的安全性。
工作电压: 8V
反向击穿电压: 8.89V（最小值）
峰值脉冲电流（8/20μs）: 10A
钳位电压: 14.4V（最大值）
漏电流: 100nA（最大值）
封装类型: SOT1223
工作温度范围: -55°C 至 150°C
ESD 保护等级: IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV 接触放电）
PESD8V0S1ULDYL采用先进的硅雪崩技术，提供卓越的瞬态电压保护性能。该器件具备低漏电流特性，确保在正常工作条件下对系统功耗的影响最小。其快速响应时间可在纳秒级内对ESD事件做出反应，防止高电压冲击对下游电路造成损害。此外，PESD8V0S1ULDYL采用无铅环保封装，符合RoHS标准，并适用于自动化贴片生产工艺。器件的单向保护结构使其在直流电路中具有更优的钳位性能，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及通信接口等对ESD敏感的场合。
该ESD保护二极管的SOT1223封装非常紧凑，适合高密度PCB布局设计，同时具备良好的热稳定性和机械强度。其10A的峰值脉冲电流能力确保了在多次ESD事件下的可靠保护，不会导致器件性能退化。PESD8V0S1ULDYL还具备低电容特性，适用于高速数据线路的保护，如USB、HDMI、以太网等接口，能够在不干扰信号完整性的情况下提供有效的静电保护。
该器件广泛用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、数码相机、可穿戴设备、计算机外围设备、通信模块、工业控制系统、消费类电子产品以及车载电子系统中，用于保护敏感电路免受静电放电和瞬态电压的影响。
PESD8V0S1UL; PESD8V0S1BA; PESD8V0S1BLY
