时间：2025/9/14 22:34:36
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PESD5Z6.0,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款单向静电放电（ESD）保护二极管，专为保护电子电路免受静电放电和瞬态电压冲击而设计。该器件采用DFN1111-2封装，具有小尺寸和低电容特性，非常适合用于高速信号线路的保护，如USB接口、HDMI接口、以太网端口等。PESD5Z6.0,115 的工作电压为6.0V，能够在短时间内吸收高达数安培的浪涌电流，从而有效保护后级电路。
工作电压: 6.0V
击穿电压: 6.6V @ IT=1mA
最大反向关态电压: 6.0V
最大钳位电压: 13.3V @ IPP=1A
最大浪涌电流（8/20μs）: 10A
电容（@ f=1MHz）: 10pF
封装: DFN1111-2
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
PESD5Z6.0,115具备多项优秀的电气和物理特性，确保其在各种应用环境中的稳定性和可靠性。
首先，其低钳位电压特性使其在遭受ESD冲击时能够迅速将电压限制在安全范围内，从而避免对后级电路造成损害。该器件的典型钳位电压为13.3V，在1A浪涌电流条件下即可实现有效保护，适用于大多数低压电子系统。
其次，该ESD保护二极管具有非常低的结电容（通常为10pF），这使其非常适合用于高速数据线路的保护。在USB 2.0、HDMI和以太网等高频应用中，低电容可确保信号完整性不受影响，不会引入明显的信号衰减或失真。
此外，PESD5Z6.0,115采用DFN1111-2封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。该封装还具有良好的热性能，能够有效散热，从而在高能量冲击下保持稳定性。
该器件的浪涌耐受能力也非常出色，最大浪涌电流可达10A（8/20μs波形），适用于IEC 61000-4-2 Level 4级别的ESD保护标准。这意味着PESD5Z6.0,115能够应对大多数常见的静电放电事件，包括人体静电放电（HBM）和机器模型（MM）放电。
最后，PESD5Z6.0,115具有宽工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于各种工业和消费类电子设备，确保在极端环境下的稳定运行。
PESD5Z6.0,115广泛应用于各种需要ESD保护的电子设备中，特别是在高速数据通信接口方面表现优异。典型应用包括USB 2.0/3.0接口保护、HDMI接口保护、以太网端口保护、RS-485和CAN总线接口保护等。此外，它也常用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的敏感电路保护。在工业自动化系统、汽车电子、消费类电子产品和通信设备中，该器件能够有效防止因静电放电或瞬态电压引起的损坏，从而提高系统可靠性和使用寿命。
PESD5Z6.0S,115; PESD5Z6.0U,115; ESD5Z6.0,115
