JANTX4N49是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),常用于高功率和高电压的应用场合。该晶体管由美国的Vishay Siliconix公司生产,具有优异的性能和可靠性。它被广泛用于工业设备、电源系统、电机控制以及各种高电压开关电路中。JANTX4N49是一款N沟道增强型MOSFET,设计用于高频率和高功率应用,能够承受较大的电流和电压负载。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):400V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):10A(连续)
最大功率耗散(Pd):125W
导通电阻(Rds(on)):0.85Ω @ Vgs = 10V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
JANTX4N49具备多个优异的电气和机械特性,使其在高功率电子应用中表现出色。首先,其最大漏源电压为400V,这使得它适用于高电压电源转换和开关电路。其次,该MOSFET的连续漏极电流能力达到10A,能够在高负载条件下稳定运行。
导通电阻(Rds(on))为0.85Ω,在Vgs为10V时,这降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件的最大功率耗散为125W,具备良好的散热能力,适合高功率密度设计。
JANTX4N49的工作温度范围非常宽,从-55°C到+175°C,使其适用于各种严苛环境下的应用,如航空航天、军事设备和工业控制系统。该器件还具备较高的抗静电能力和良好的热稳定性,从而提升了整体系统的可靠性和寿命。
封装方面,JANTX4N49采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用。TO-220封装也广泛用于高功率电子元件中,确保了良好的兼容性和可替换性。
JANTX4N49常用于各种高功率和高电压应用。其主要应用领域包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、照明系统(如HID灯驱动电路)、电池管理系统以及各种工业自动化设备。在这些应用中,JANTX4N49能够高效地控制电流流动,确保系统的稳定性和可靠性。由于其优异的性能,该MOSFET也常用于航空航天和军事设备中,满足高可靠性要求。
IRF4905, FDP4N49, STP4N49