PESD5V0X1BT是Nexperia(原飞利浦半导体)生产的一款双向瞬态电压抑制二极管(TVS二极管)。该器件设计用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态过电压事件的影响。它具有低电容和快速响应时间的特点,非常适合高速数据线和射频应用。
PESD5V0X1BT采用DFN1006-2封装形式,非常小巧,适合空间受限的设计。其双向结构使得它可以处理正负方向的瞬态电压,提供对称的保护特性。
额定电压:5V
峰值脉冲电流:89A
钳位电压:7.7V
结电容:0.3pF
响应时间:小于1皮秒
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:DFN1006-2
最大反向漏电流:1微安
1. 低电容设计,适合高速信号线保护,不会对信号完整性造成明显影响。
2. 快速响应时间,能够在皮秒级别内有效抑制瞬态电压,保护后级电路。
3. 高度可靠的ESD保护能力,符合IEC 61000-4-2标准,可承受±30kV接触放电和±30kV空气放电。
4. 小型化封装,便于在空间有限的应用中使用。
5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 双向对称保护结构,适用于双向信号线路。
1. 高速数据接口保护,如USB、HDMI、DisplayPort等。
2. 射频信号线路保护,例如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线通信模块。
3. 汽车电子系统中的信号线路保护。
4. 工业自动化设备中的传感器和通信接口保护。
5. 移动设备和消费类电子产品中的敏感电路保护。
PESD5V0UA1BT,PESD5V0UT1BA