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JANS1N5819UR-1 发布时间 时间:2025/7/25 20:14:11 查看 阅读:7

JANS1N5819UR-1是一款肖特基二极管,属于高性能的半导体器件,广泛用于需要快速开关和低正向压降的应用中。该器件符合MIL-PRF-19500标准,并经过了严格的军用级认证,适用于航空航天、国防和高可靠性工业应用。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大平均整流电流(IO):1A
  正向压降(VF):0.375V(典型值,最大0.5V)
  反向漏电流(IR):0.1μA(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装形式:SOD-123

特性

JANS1N5819UR-1具备多项优异的电气和机械特性,确保其在极端环境下的稳定运行。其核心特性包括:
  1. 低正向压降:得益于肖特基二极管的金属-半导体结构,该器件在导通状态下具有极低的正向压降,通常在0.375V左右,最大不超过0.5V。这种低VF特性能够显著降低功率损耗,提高能效,特别适用于对能耗敏感的便携式设备和电源管理系统。
  2. 快速开关性能:由于肖特基二极管没有PN结二极管所具有的少数载流子存储效应,因此其开关速度非常快,反向恢复时间(trr)极短。这使得JANS1N5819UR-1非常适合用于高频整流和高速开关电路中,如DC-DC转换器和电源整流电路。
  3. 高可靠性设计:JANS1N5819UR-1按照MIL-PRF-19500标准制造,并通过了军用级可靠性测试,能够在极端温度、振动和辐射环境下稳定工作。这使其成为航空航天、卫星通信、军事电子设备等高可靠性要求领域的理想选择。
  4. 宽工作温度范围:器件可在-55°C至+125°C的温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。
  5. 小型化封装:采用SOD-123封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能。

应用

JANS1N5819UR-1广泛应用于对可靠性、效率和空间布局要求较高的电子系统中。典型应用包括:
  1. 军用与航天电源系统:作为整流元件用于航空器、卫星、导弹等系统的电源模块中,确保在极端环境下的稳定运行。
  2. 高频开关电源:用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等高频开关电源中,提升能效并减少发热。
  3. 电池管理系统:在电池充放电保护电路中作为隔离二极管,防止反向电流流动,提高系统安全性。
  4. 工业自动化设备:用于PLC、传感器模块等工业控制系统中,确保在高温、高湿等恶劣环境下稳定工作。
  5. 汽车电子:适用于车载电源、电池管理系统和车载充电器中,满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。

替代型号

1N5819, 1N5819W-13-F, RB521S-30

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JANS1N5819UR-1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格50 : ¥672.44240散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)490 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 45 V
  • 不同?Vr、F 时电容70pF @ 5V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-213AB,MELF(玻璃)
  • 供应商器件封装DO-213AB(MELF,LL41)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 150°C