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PESD5V0X1BQ 发布时间 时间:2025/9/15 2:26:14 查看 阅读:6

PESD5V0X1BQ 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的单向静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线路设计,例如USB 2.0、HDMI、DisplayPort等应用。该器件采用先进的硅雪崩技术,能够在极短的时间内将高能量静电脉冲安全地分流到地,从而保护下游的敏感电子元件不受损坏。PESD5V0X1BQ采用SOT-323(SC-70)小型封装,适用于便携式设备和空间受限的应用场景。

参数

工作电压: 5.0V
  击穿电压: 6.5V(最小值)
  钳位电压(Ipp=1A): 13V
  反向漏电流(VRWM=5.0V): 最大100nA
  响应时间: <1ns
  封装类型: SOT-323(SC-70)

特性

PESD5V0X1BQ 的核心特性包括极低的电容(典型值0.5pF),非常适合高速数据传输应用,能够确保信号完整性不受影响。
  其单向保护结构能够在正负方向的静电事件中提供全面保护,且具备低钳位电压和快速响应时间,确保在ESD事件中迅速反应并保护电路。
  此外,该器件具备高可靠性和稳定性,能够承受IEC 61000-4-2 Level 4标准的±8kV接触放电和±15kV空气放电,适用于严苛的工业和消费类环境。
  低漏电流特性也使其适用于低功耗系统设计,不会对系统的正常运行造成干扰。

应用

PESD5V0X1BQ 常用于保护高速数据接口,例如USB 2.0、HDMI、DisplayPort、以太网和其它通信端口。
  它适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及可穿戴设备等。
  在工业和汽车电子应用中,PESD5V0X1BQ也被广泛用于防止静电放电对敏感电路的损害,提高系统的可靠性和使用寿命。
  由于其紧凑的封装和高性能特性,该器件也适用于高密度PCB设计,为设计工程师提供灵活的布局选项。

替代型号

PESD5V0U1BAX, PESD5V0L2UAY, PESD5V0X1BC, PESD5V0X1BEL

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