时间：2025/9/14 23:27:06
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PESD5V0V1BB,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的单向静电放电（ESD）保护二极管。该器件设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害。其主要应用于低压数据线和电源线的电路保护，适用于USB接口、HDMI、以太网端口等常见的高速数据传输接口。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：ESD保护二极管
工作电压：5V
反向击穿电压（VBR）：5.55V（最小值）
钳位电压（VC）：13.3V @ 1A
最大反向漏电流（IR）：100nA
响应时间：小于1ns
封装类型：DFN1006
引脚数量：3
工作温度范围：-55°C至+150°C
PESD5V0V1BB,115具有卓越的ESD保护性能，能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准。其低钳位电压确保在ESD事件中对受保护设备提供高效保护。此外，该器件的响应时间极短，能够在纳秒级内响应瞬态电压，减少对电路的影响。其低电容特性（通常为2pF）使其适用于高速数据线路，不会对信号完整性造成显著影响。DFN封装设计提供了优良的热性能和空间节省优势，适用于现代电子产品的小型化需求。
PESD5V0V1BB,115广泛应用于各种电子设备中，主要用于保护低压接口和高速数据线路。常见的应用包括USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI端口、以太网接口、VGA连接器、音频/视频输入输出端口等。此外，该器件也适用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电路保护，以及工业控制系统和通信设备中的接口保护。
PESD5V0V1BS,115
