时间：2025/5/29 15:21:03
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ZVP2110GTA 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Vishay Siliconix 的 ZVP 系列。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高频和高效能应用。ZVP2110GTA 在设计中注重优化栅极电荷和阈值电压，以实现更高的效率和更低的功耗。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），并且符合 RoHS 标准要求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：0.4Ω
栅极阈值电压：2.5V
总栅极电荷：12nC
开关时间：典型值 18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
ZVP2110GTA 具备以下显著特点：
1. 高效的功率转换能力，适用于 DC-DC 转换器和降压/升压电路。
2. 低导通电阻降低了传导损耗，从而提高了系统效率。
3. 快速开关性能使得它在高频开关电源中表现出色。
4. 小型化封装支持紧凑型设计，满足现代电子设备对空间节省的需求。
5. 安全操作区（SOA）经过优化，能够承受瞬间过载情况。
该 MOSFET 广泛应用于各种领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. LED 驱动器中的电流调节元件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 通信设备中的信号切换和功率管理部分。
ZVP2110A, IRLML2502, FDN340P
