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PESD5V0U5BV 发布时间 时间:2025/9/15 3:33:59 查看 阅读:7

PESD5V0U5BV 是一款由Nexperia(安世半导体)推出的低电容、双向静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路设计,适用于USB、HDMI、以太网等需要高信号完整性和ESD防护的应用。该器件采用5引脚的DFN封装,提供紧凑的PCB布局解决方案。

参数

工作电压:5V
  反向关态电压(VRWM):5V
  钳位电压(Vc):最大13V(在IEC 61000-4-2 Level 4条件下)
  峰值脉冲电流(IPP):最大3A
  电容(典型值):0.8pF(在1MHz频率下)
  封装形式:DFN1006-5
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

PESD5V0U5BV 具备极低的结电容,确保在高速数据传输中不会影响信号完整性,非常适合用于USB 3.0、HDMI 1.4和DisplayPort等高速接口。其双向保护结构可同时保护两个信号线,减少所需元件数量并节省PCB空间。此外,该器件具备优良的ESD保护性能,符合IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)标准,确保设备在严苛环境中仍能稳定运行。由于其小型DFN封装,PESD5V0U5BV在便携式电子产品和高密度电路设计中具有很高的适用性。
  该器件的热性能优异,能够承受多次高能量ESD冲击而不损坏,提高了系统的长期可靠性。同时,其低钳位电压有助于保护下游IC免受过电压损害,延长设备使用寿命。

应用

PESD5V0U5BV 主要用于需要高速信号保护的电子设备中,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB集线器、HDMI接口设备、以太网交换机和数字电视等。在这些应用中,它能够有效防止静电放电、电缆放电事件(CDE)以及其他瞬态电压造成的损害,确保系统的稳定性和耐用性。

替代型号

PESD5V0U5B, PESD5V0S5BV, PESD5V0S5B

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