工作电压：5.0V
　　峰值电流：10A (8x20μs波形)
　　钳位电压：9.5V (最大值，@ Ipp = 10A)
　　反向击穿电压：5.5V (最小值)
　　电容：典型值为 0.8 pF
　　封装形式：SOT23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

PESD5V0S1UB-Q 具备卓越的ESD保护性能，能够承受高达±30kV的人体模型（HBM）静电放电，并将其安全地引导到地，从而保护下游电路不受损害。该器件的低钳位电压特性可有效降低对受保护设备的应力，延长其使用寿命。此外，PESD5V0S1UB-Q 具有极低的结电容（典型值为0.8pF），这使其非常适合用于高速数据线路的保护，例如USB、HDMI、以太网等接口，因为低电容不会对信号完整性造成显著影响。
　　该器件采用单向保护结构，具有快速响应时间和高可靠性。SOT23封装体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，并且符合RoHS环保标准。PESD5V0S1UB-Q 的工作温度范围广泛，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于各种严苛环境下的应用需求。

PESD5V0S1UB-Q 主要用于各类电子设备中的静电放电保护，尤其是在高速数据传输接口中，例如USB 2.0、HDMI、DisplayPort、以太网端口、音频/视频输入输出接口等。它也广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、可穿戴设备以及其他便携式电子产品中，为这些设备的敏感IC和电路提供可靠的ESD保护。
　　由于其低电容特性，该器件还可用于射频（RF）信号路径的保护，确保信号传输的稳定性。此外，在工业控制系统、汽车电子模块、通信设备和消费类电子产品中也能见到PESD5V0S1UB-Q 的应用身影。

PESD5V0S1BA, PESD5V0S1U, PESD5V0S1B-Q