PESD5V0L1USF 时间：2025/5/12 15:42:09 阅读：8

PESD5V0L1USF 是一款超低电容的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为保护高速数据接口免受静电放电 (ESD)、雷击浪涌和其他瞬态威胁而设计。该器件采用微型 SOD-962 封装，具有超小尺寸和高可靠性，适用于空间受限的应用场景。
　　该 TVS 二极管支持高达 ±30kV 的接触放电保护（符合 IEC 61000-4-2 标准），同时其极低的电容特性（典型值为 0.35pF）确保了对高速信号完整性的最小干扰。

参数

类型：双向 TVS 二极管
　　工作电压：5V
　　最大箝位电压：24.4V
　　峰值脉冲电流：±7A（8/20μs 波形）
　　响应时间：≤1ps
　　结电容：0.35pF（典型值）
　　反向漏电流：1μA（最大值，在 VRWM 下）
　　封装：SOD-962
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 双向保护设计，可有效抑制正负方向的瞬态过压。
　　2. 极低的结电容（0.35pF），非常适合高速数据线路，例如 USB 3.0、HDMI 和 DisplayPort。
　　3. 高度可靠的 ESD 保护能力，符合并超出 IEC 61000-4-2 国际标准。
　　4. 小型化封装（SOD-962），节省 PCB 空间。
　　5. 宽工作温度范围，能够适应恶劣环境下的应用需求。
　　6. 快速响应时间（≤1ps），及时抑制瞬态过压事件，保护后端电路。
　　7. 环保材料，符合 RoHS 指令要求。

应用

1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等。
　　2. 移动设备中的射频线路保护，包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　3. 工业通信接口保护，例如 RS-485、CAN 总线等。
　　4. 汽车电子系统的 ESD 和浪涌保护。
　　5. 网络设备中的信号线保护，如以太网 PHY、交换机和路由器。
　　6. 医疗设备中的敏感电路保护。