PESD5V0F1BL 是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,设计用于保护高速数据接口免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压的损害。该器件具有双向对称结构,适用于差分信号线路,能够在不降低信号完整性的前提下提供高效的瞬态保护。
其超低电容特性(典型值为 0.4pF)使其非常适合于高速数据线保护应用,例如 USB、HDMI、以太网等。此外,PESD5V0F1BL 具备高浪涌能力,并符合 IEC 61000-4-2 国际标准,能够承受 ±20kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:±9A
最大箝位电压:8.7V
动态电阻:0.4Ω
电容:0.4pF
响应时间:≤1ps
封装形式:DFN1006-2(1.0x0.6mm)
PESD5V0F1BL 提供以下主要特性:
1. 超低电容设计(0.4pF),确保对高速数据传输的影响最小化。
2. 双向对称结构,适合差分信号线路保护。
3. 高浪涌电流承载能力(±9A),增强耐用性。
4. 符合 IEC 61000-4-2 标准,支持 ±20kV 接触放电和 ±30kV 空气放电。
5. 极快的响应时间(≤1ps),可迅速抑制瞬态电压。
6. 小型化封装 DFN1006-2(1.0x0.6mm),节省 PCB 布局空间。
7. 无铅环保设计,符合 RoHS 指令要求。
PESD5V0F1BL 广泛应用于需要高速数据接口保护的场景,包括但不限于:
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 接口保护。
3. 以太网 PHY 和 RJ45 接口保护。
4. 移动设备中的射频信号线保护。
5. 工业自动化设备中的通信总线保护。
6. 汽车电子系统的 CAN/LIN 总线保护。
7. 音视频设备中的天线输入保护。
PESD5V0UA1BL, PESD5V0UT1BL