类型：ESD保护二极管
　　工作电压：4.0V
　　最大反向工作电压（VRWM）：4.0V
　　击穿电压（VBR）：最小4.5V，典型值5.0V
　　钳位电压（VC）：最大12.8V（在Ipp=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
　　响应时间：小于1ns
　　电容（C）：典型值1.5pF（在1MHz条件下）
　　封装形式：SOT23-5

PESD4V0H1BSFYL具有多项优异特性，适用于高要求的电路保护应用。首先，其低工作电压和击穿电压设计确保了在低电压系统中能够有效保护敏感的半导体器件。其次，该器件具备极低的电容值（仅1.5pF），使其适用于高速信号线路，不会对信号完整性造成明显影响。
　　此外，PESD4V0H1BSFYL的钳位电压较低，在遭受ESD冲击时能够迅速将电压限制在安全范围内，从而防止被保护器件受到损坏。其响应时间小于1纳秒，能够在极短时间内对静电放电事件做出反应，提供即时的保护作用。
　　该器件采用SOT23-5封装，体积小巧，适合用于空间受限的便携式电子产品中。同时，其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。
　　整体而言，PESD4V0H1BSFYL以其高性能参数和紧凑设计，成为消费电子、通信设备和工业控制系统中理想的ESD保护解决方案。

PESD4V0H1BSFYL广泛应用于各类需要静电放电保护的电子设备中。常见应用包括USB接口保护、HDMI和DisplayPort等高速视频接口的信号线保护、以太网端口保护以及蜂窝通信模块中的射频信号线保护。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件可有效防止人体静电和外部静电放电对内部IC造成的损害。此外，PESD4V0H1BSFYL也适用于工业控制系统的通信接口，为工业自动化设备提供可靠的ESD防护。

PESD4V0H1BSFYL可以使用PESD4V0H1BAX 作为替代型号