时间：2025/4/29 14:42:04
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PESD3V3X1BL 是一款基于硅雪崩效应的低电容多级静电放电 (ESD) 保护二极管。该器件专为高速信号线和电源线提供瞬态电压抑制保护而设计，能够有效防止由 ESD、雷击和其他瞬态电压引起的损坏。它具有超低电容特性，非常适合用于高速数据接口保护，例如 USB、HDMI 和以太网等应用。
该二极管采用 SOD-323 封装，支持表面贴装技术 (SMD)，便于自动化生产。其双向保护功能使其适用于交流或双向信号线路的保护。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流 IPP：±15A
箝位电压 VC：≤7.6V
动态电阻 RDYN：≤1Ω
结电容 CJ：≤0.8pF
响应时间 tR：≤1ps
最大工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOD-323
PESD3V3X1BL 提供卓越的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 标准，能够承受 ±30kV（空气放电）和 ±30kV（接触放电）。由于其超低结电容（≤0.8pF），对高速信号传输的影响可以忽略不计，确保信号完整性不受损害。
此外，该元件具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。其双向结构设计允许在无需额外电路的情况下保护双向信号线路。同时，该器件通过了 AEC-Q101的要求。
PESD3V3X1BL 广泛应用于各种电子设备中，主要用于高速数据接口的保护。典型应用场景包括：
1. USB 2.0/3.0 接口保护
2. HDMI 和 DisplayPort 接口保护
3. 以太网 PHY 接口保护
4. 汽车信息娱乐系统中的数据线保护
5. 移动设备射频前端保护
6. 工业控制系统的通信端口保护
其高可靠性使其成为需要长期稳定运行环境的理想选择。
PESD3V3X1BLS, PESD3V3UA1B
