时间：2025/7/24 19:56:01
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2SK2640-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频功率放大器和开关电源应用。该器件采用小型SOT-23封装，具有良好的热稳定性和高频特性，适用于通信设备、电源管理和音频放大器等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：100mA
漏源导通电阻（RDS(on)）：5.5Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
2SK2640-01MR MOSFET具有多项出色的电气性能和物理特性，适用于高频和低功耗应用。该器件的漏源电压最大为30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场合。其最大连续漏极电流为100mA，适合用于小型功率控制电路。在10V栅极电压下，漏源导通电阻为5.5Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET采用SOT-23封装，具有良好的散热性能和小型化设计，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。此外，该器件的栅源电压最大为20V，提供了较大的驱动灵活性，适用于多种控制电路。
2SK2640-01MR还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频应用中表现出色，适用于射频放大器和高速开关电路。其良好的热稳定性也确保在高负载条件下不会轻易发生热失控。
2SK2640-01MR MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。常见用途包括高频功率放大器、音频放大器、开关电源、DC-DC转换器以及通信设备中的信号处理电路。其小型SOT-23封装也使其非常适合便携式电子产品和空间受限的设计中使用。此外，该器件还可用于电机驱动电路、LED驱动器和传感器接口电路等场合。
2SK2640-01ML, 2SK2640-01MQ, 2N3904
