时间：2025/9/14 18:52:30
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PESD3V3U1UL,315 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款单向静电放电（ESD）保护二极管，专为低压信号线路设计。该器件具有非常低的电容，适用于高速数据线路的过电压保护，能够在恶劣的静电环境下提供可靠的保护性能。PESD3V3U1UL,315 采用无铅、小尺寸的SOT-323（SC-70）封装，适用于各种便携式电子设备和通信系统。
类型：单向ESD保护二极管
工作电压：3.3V
反向截止电压：3.3V
峰值脉冲电流（8/20μs）：10A
钳位电压：6.5V（最大）
电容（@1MHz）：4pF
封装：SOT-323（SC-70）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
PESD3V3U1UL,315 是一款高性能ESD保护器件，具备出色的电气特性和可靠性。其主要特性包括低工作电压（3.3V），可确保在低电压信号线路中提供有效的保护，同时不会对正常信号传输造成干扰。该器件具有极低的电容（仅4pF），非常适合用于高速数据线路，如USB接口、HDMI、以太网等应用，能够有效抑制ESD事件并保持信号完整性。
此外，PESD3V3U1UL,315 的峰值脉冲电流能力为10A（8/20μs波形），表明其在遭遇高强度静电放电时仍能保持稳定工作。钳位电压的最大值为6.5V，确保在ESD事件中将电压限制在安全范围内，从而保护下游电子元件免受损坏。其采用的SOT-323封装形式，不仅体积小巧，便于在空间受限的设备中使用，还支持表面贴装工艺，提高生产效率。
PESD3V3U1UL,315 广泛应用于需要ESD保护的高速信号线路中，包括但不限于以下领域：USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485通信线路、CAN总线、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、工业控制设备、通信基站、汽车电子系统等。由于其低电容和快速响应特性，特别适合用于保护敏感的CMOS电路和高速数据线路，防止静电放电和瞬态电压造成的损坏。
PESD3V3U1BA,115
PESD3V3U1BL,115
PESD3V3U1UL-7
PESD3V3U1U-7
