时间：2025/9/15 1:56:42
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PESD3V3S2UT,215 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为低压数据线路设计，工作电压为3.3V。该器件采用双通道设计，每个通道均提供双向ESD保护，适用于保护敏感的电子设备免受静电放电、瞬态电压和过电压事件的影响。该封装采用小型SOT23封装形式，适用于空间受限的应用，例如便携式电子设备、通信设备和工业控制系统。
类型：ESD保护二极管阵列
工作电压：3.3V
通道数：2
钳位电压：典型值为7.5V @ Ipp=1.7A
反向击穿电压：最小值为4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT23
PESD3V3S2UT,215 提供高效的ESD保护，能够承受高达±15kV的静电放电（空气放电）和±8kV接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，确保设备在恶劣环境下的稳定运行。
该器件的低钳位电压有助于减少对下游电路的应力，提高系统的可靠性和寿命。
其双向保护结构使其适用于正负极性信号线的保护，非常适合用于高速数据线路，如USB、HDMI和其他数字接口。
此外，该器件具有快速响应时间，能够在纳秒级别内对瞬态电压做出反应，提供即时保护。
小型SOT23封装使其非常适合空间受限的设计，同时具备低漏电流特性，在正常工作条件下对电路性能的影响极小。
PESD3V3S2UT,215 常用于需要ESD保护的各种电子设备中，包括但不限于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、计算机外设（如键盘、鼠标）、通信设备（如路由器、交换机）以及工业自动化和控制系统。
它适用于保护高速数据线路、电源线路以及模拟和数字信号线路，确保设备在受到静电放电或其他瞬态电压事件影响时仍能正常运行。
此外，该器件也可用于汽车电子系统中的保护应用，如车载信息娱乐系统、导航系统和车身控制模块。
PESD3V3S2UC,215; PESD3V3S2BA,215; PESD3V3S2UM; SP3052BA-LTR
