时间：2025/9/3 11:47:42
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MJ100BK100 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于高功率开关应用。这款器件设计用于在高电压和高电流条件下提供卓越的性能，具有低导通电阻、高可靠性和出色的热稳定性。MJ100BK100 适用于电源转换器、电机控制、电源管理系统以及其他需要高效功率管理的工业和消费类设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：100A
漏源电压 (VDS)：100V
栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：典型值 0.018Ω（最大值 0.024Ω）
功耗 (PD)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MJ100BK100 MOSFET 具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的最大漏极电流为 100A，能够处理高电流负载，适用于要求严苛的电力电子设备。此外，MJ100BK100 支持高达 100V 的漏源电压，适合多种中高压应用。其 ±20V 的栅源电压范围提供了良好的栅极控制能力，并增强了器件的抗干扰能力。
该 MOSFET 还具备优异的热性能，能够承受高达 175°C 的工作温度，确保在高温环境下稳定运行。封装形式为 TO-264 或 TO-247，提供良好的散热性能，并便于安装在散热器上。此外，其高功率耗散能力（300W）允许在高负载条件下持续工作而不会发生热失效。MJ100BK100 还具有快速开关特性，减少开关损耗并提高系统响应速度，适用于高频开关电源和电机驱动器。
MJ100BK100 广泛应用于多个高功率领域。它常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机控制器和电池管理系统中。在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于驱动高功率负载，如直流电机、电磁阀和加热元件。此外，它也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器和储能系统中的功率开关部分。
由于其高可靠性和优异的热稳定性，MJ100BK100 也被广泛用于电信基础设施设备、服务器电源模块和不间断电源（UPS）系统。在消费电子产品中，该器件可用于高性能电源管理和负载开关控制。其高电流能力和快速开关特性也使其成为无人机、机器人和电动工具的理想选择。
IXFH100N10P, FDP100N10, STP100N10F7
