PESD3V3L4UF,115 是由 NXP(恩智浦)生产的一款四通道低电容静电放电(ESD)保护二极管阵列,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的影响。该器件采用小型无引脚封装(如 TSSOP 或 UFDFN),适用于便携式电子设备和高速数据线路保护。该芯片设计工作电压为 3.3V,适合用于 USB、HDMI、以太网和其他高速接口应用。
工作电压: 3.3 V
通道数量: 4
封装类型: UFDFN
钳位电压(最大): 7.5 V @ IEC 61000-4-2 Level 4
漏电流(最大): 0.1 μA
电容(典型值): 30 pF(每通道)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
ESD 保护等级: ±15kV(接触放电)
PESD3V3L4UF,115 是一款高性能 ESD 保护器件,具有多项关键特性,适用于多种电子设备中的瞬态电压保护。
首先,该器件的四通道结构使其能够同时保护多条信号线路,从而减少 PCB 上的元件数量并提高系统集成度。每个通道均具备低电容特性(典型值为 30 pF),这对于高速信号线路至关重要,因为它可以最小化信号失真和插入损耗,确保数据传输的完整性。这使得该器件特别适用于如 USB 2.0、HDMI、以太网等高速接口的保护。
其次,该 ESD 保护二极管的工作电压为 3.3V,适用于大多数低压数字和模拟信号线路。其最大钳位电压为 7.5V(在 IEC 61000-4-2 Level 4 条件下),能够在遭受高能量 ESD 事件时迅速将电压钳制在安全范围内,从而保护下游 IC 不受损坏。此外,该器件的漏电流非常低(最大为 0.1 μA),这意味着在正常工作条件下对系统功耗的影响极小,适合用于电池供电设备。
再者,PESD3V3L4UF,115 采用 UFDFN 小型封装,适用于空间受限的设计。这种封装不仅节省 PCB 空间,还具有良好的热性能,有助于在高能量脉冲下快速散热,提高器件的可靠性和使用寿命。
最后,该器件符合 RoHS 标准,并具有优异的 ESD 保护能力(可承受 ±15kV 接触放电),满足 IEC 61000-4-2 的工业标准。这使得 PESD3V3L4UF,115 成为工业自动化、消费电子、通信设备等多种应用中的理想选择。
PESD3V3L4UF,115 主要用于需要高水平 ESD 保护的高速信号线路中。由于其低电容特性,该器件非常适合用于 USB 2.0 和 USB 3.0 接口、HDMI、DisplayPort、以太网接口、SD 卡插槽等高速数据线路的保护。在这些应用中,PESD3V3L4UF,115 可以有效防止静电放电和瞬态电压对敏感 IC 造成的损害,同时不会影响信号完整性。
此外,该器件也广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和数码相机等。在这些设备中,由于电路设计越来越紧凑,且工作电压不断降低,因此对 ESD 保护的要求也更高。PESD3V3L4UF,115 的低功耗、小型封装和高效保护能力使其成为这些应用的理想选择。
在工业和通信设备中,该器件也可用于保护 RS-485、CAN 总线、以太网 PHY 接口等关键信号线,以确保系统在恶劣环境下的稳定运行。其优异的 ESD 抑制能力和高可靠性使其成为工业自动化、安防监控、网络设备等领域的常用保护元件。
NXP PESD3V3L4BA,115; STMicroelectronics ESDA6V1W5B; Vishay SMBJ3.3