时间：2025/9/14 14:31:10
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PESD3V3L1BAZ是一款由恩智浦（NXP）半导体公司生产的单向静电放电（ESD）保护二极管，专为低压电路的ESD保护而设计。该器件适用于多种高速接口和敏感电子设备，具有低钳位电压和快速响应时间的特点，能够有效防止静电放电、电快速瞬变脉冲群（EFT）等瞬态电压对电路造成的损害。PESD3V3L1BAZ采用SOD-923封装，适用于空间受限的便携式电子设备。
工作电压：3.3V
反向关态电压（VRWM）：3.3V
击穿电压（VBR）：4.0V（最小）
最大钳位电压（VC）：8.5V（在IEC 61000-4-2 Level 4测试条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1.5A（8/20μs波形）
响应时间：小于1ns
封装形式：SOD-923
PESD3V3L1BAZ具有出色的ESD保护性能，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，能够承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电。其低钳位电压特性确保在瞬态电压事件中将电压限制在安全范围内，从而保护下游电路免受损坏。该器件的响应时间极短，能在纳秒级别内对静电放电做出反应，提供即时保护。此外，PESD3V3L1BAZ具有低漏电流，在正常工作条件下几乎不影响电路性能。SOD-923封装体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
该器件广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备、计算机外设、工业控制系统以及汽车电子等需要ESD保护的场合。具体应用包括USB接口、HDMI接口、音频/视频接口、传感器信号线等高速数据线路的保护。
NXP PESD3V3L1BA, STMicroelectronics ESDA6V1W5B, Infineon ESD3V3B1-04
